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RSF010P03

4V Drive Pch MOS FET

RSF010P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSF010P03 zStructure Silicon P-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm) TUMT3 0.85Max. 2.0 zFeatures 1) Low on-resistance. 2) High speed switching. 0.3 (3) 0.2 0.77 1.7 0.2 (1) (2) 2.1 0~0.1 0.65 0.65 0.17 zApplications Switching zP



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ROHM Semiconductor
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RSF015N06FRA

MOSFET ( Transistor )

9 'ULYH 1FK 026)(7 56)1FRA Datasheet z6WUXFWXUH 6LOLFRQ 1FKDQQHO 026)(7 AEC-Q101 Qualified z'LPHQVLRQV 8QLW  PP TUMT3 0.2Max. z)HDWXUHV  %XLOWLQ *6 3URWHFWLRQ 'LRGH  6PDOO 6XUIDFH 0RXQW 3DFNDJH 7807   , RZ YROWDJH GULYH 9 z$SSOLFDWLRQ 6ZLWFKLQJ $EEUHYLDWHG V\PERO  3


ROHM Semiconductor
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RSF05G1-1P

LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS



Toshiba Semiconductor
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RSF1WS

FLAME-PROOF TYPE

YAGEO CORPORATION LEADED RESISTORS Metal Oxide Film Resistors FLAME-PROOF TYPE Normal & Miniature Style [ RSF Series ] FEATURES Low Cost, Prompt Delivery High Power-to-Size Ratio for Significant Space Savings Complete Flameproof Construction-UL 1412 High Surge, Overload Capability Non-Inductive


Yageo
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