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RURP820 8A/ 200V Ultrafast Diodes MUR820, RURP820
Data Sheet January 2000 File Number 1355.5
8A, 200V Ultrafast Diodes
MUR820 and RURP820 are ultrafast diodes with soft recovery characteristics (trr < 25ns). They have low forward voltage drop and are silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction. These devi ![]() ![]() Intersil Corporation |
RURP820CC 8A/ 200V Ultrafast Dual Diodes MUR1620CT, RURP820CC
Data Sheet January 2000 File Number 1885.5
8A, 200V Ultrafast Dual Diodes
The MUR1620CT and RURP820CC are ultrafast dual diodes with soft recovery characteristics (trr < 25ns). They have low forward voltage drop and are silicon nitride passivated ionimplanted epitaxial planar c ![]() ![]() Intersil Corporation |
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RUR020N02 1.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
RUR020N02
zStructure Silicon N-channel MOSFET zFeatures 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3).
(1) Gate (2) Source (3) Drain Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : XK
zDimensions (Unit : mm)
TSMT3
![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RUR040N02 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02
Transistors
1.5V Drive Nch MOSFET
RUR040N02
zStructure Silicon N-channel MOSFET zDimensions (Unit : mm)
TSMT3
zFeatures 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3).
(1) Gate (2) Source (3) Drain
Each lead has same dimensi ![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RUR040N02FRA Nch 20V 4A Small Signal MOSFET RUR040N02FRA
Nch 20V 4A Small Signal MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
20V 35mΩ ±4.0A 1.0W
lFeatures
1) 1.5V drive 2) Low on-resistance 3) Built-in G-S protection diode 4) Small surface mount package(TSMT3) 5) AEC-Q101 Qualified
lOutline
SOT-346T
SC-96
TSMT3
![]() ROHM Semiconductor ![]() |
RURD1540 Ultrafast Dual Diodes ![]() Harris ![]() |
RURD1550 Ultrafast Dual Diodes ![]() Harris ![]() |
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