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| SI1002R N-Channel 30V (D-S) MOSFET www.vishay.com
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Si1002R
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30
RDS(on) (Ω) MAX. 0.560 at VGS = 4.5 V 0.620 at VGS = 2.5 V 0.700 at VGS = 1.8 V 1.100 at VGS = 1.5 V
SC-75A
D 3
ID (A) 0.5 0.2 0.2 0.05
Qg (TYP.) 0.72 nC
1 G Top View
2 S
Marking Code: L
Orderin   Vishay |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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SI1011 (SI1010 - SI1015) Ultra Low Power ADC Si1010, 1, 2, 3, 4, 5
Ultra Low Power, 16, 8 kB, 12, 10-Bit ADC MCU with Integrated 240 960 MH- EZRadioPRO® Transceiver Ultra Low Power: 0.9 to 3.6 V Operation - Typical sleep mode current < 0.1 A; retains state and RAM contents over full supply range; fast wakeup of < 2 s Less than 600 nA with R  Silicon Laboratories  |
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SI1012 (SI1010 - SI1015) Ultra Low Power ADC Si1010, 1, 2, 3, 4, 5
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SI1012CR N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Si1012CR
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) ( ) 0.396 at VGS = 4.5 V 20 0.456 at VGS = 2.5 V 0.546 at VGS = 1.8 V ID (A) 0.5 0.2 0.2 0.75 Qg (Typ.)
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition TrenchFET® Power MOSFET 100 % Rg Tested  Vishay Siliconix |
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SI1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si1012R, X
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W)
0.70 @ VGS = 4.5 V 20 0.85 @ VGS = 2.5 V 1.25 @ VGS = 1.8 V
ID (mA)
600 500 350
FEATURES
D D D D D D High-Side Switching Low On-Resistance: 0.7 W Low Threshold: 0.8 V (typ) Fast Swtiching Spe Vishay Siliconix |
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Si1012X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si1012R, X
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) rDS(on) (W)
0.70 @ VGS = 4.5 V 20 0.85 @ VGS = 2.5 V 1.25 @ VGS = 1.8 V
ID (mA)
600 500 350
FEATURES
D D D D D D High-Side Switching Low On-Resistance: 0.7 W Low Threshold: 0.8 V (typ) Fast Swtiching Spe Vishay Siliconix |
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