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| SKIIP31NAB12 IGBT POWER MODULE
SKiiP 31 NAB 12 Absolute Maximum Ratings
Symbol Inverter VCES VGES IC ICM IF = IC IFM = ICM Conditions 1) (Chopper see SKiiP 22 NAB 12) Values 1200 ± 20 45 , 30 90 , 60 38 , 26 76 , 52 1500 35 700 2400 40 . . . + 150 40 . . . + 125 2500 Units V V A A A A V A A A2s °C °C V
Theatsink = 2 PDF 다운로드  Semikron |
| SKIIP31NAB12T11 IGBT Power Module
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관련 검색 목록
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SKI03063 N-channel Trench Power MOSFET 30 V, 40 A, 5.5 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI03063
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ----------6.8 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 39.5 A) Qg------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS  Sanken  |
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SKI03087 N-channel Trench Power MOSFET 30 V, 40 A, 7.6 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI03087
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ----------9.4 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 31.5 A) Qg------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS Sanken |
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SKI04024 N-channel Trench Power MOSFET 40 V, 85 A, 2.6 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI04024
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A RDS(ON) ----------3.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS Sanken |
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SKI04033 N-channel Trench Power MOSFET 40 V, 80 A, 3.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI04033
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------3.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS Sanken |
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SKI04044 N-channel Trench Power MOSFET 40 V, 80 A, 4.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
SKI04044
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------5.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS Sanken |
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