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| SPN01N60C3 Cool MOS Power Transistor Rev. 2.1
SPN01N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 6 0.3
SOT-223
4
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance
V Ω A
3 2 1
VPS05163
Type
Package
Ordering   Infineon |
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SPN02N60S5 Power Transistor SPN02N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated
Ultra
VDS RDS(on) ID
600 3 0.4
SOT-223
4
V Ω A
low effective capacitances
Improved transconductance
2 1
3
VPS05163
Type SPN02N60S5
Package SOT-223
Or  Infineon Technologies  |
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SPN03N60C3 Cool MOS Power Transistor Rev. 2.0
SPN03N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 1.4 0.7
SOT-223
4
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances
V Ω A
3 2 1
VPS05163
Type
Package
Ordering Code
SPN03N60C3
SOT-22 Infineon Technologies |
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SPN03N60S5 Cool MOS Power Transistor SPN03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance
2 1
VPS05163
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600 1.4 0.7
SOT-223
4
V Ω A
3
Type SPN03N60S5
Package SOT-223
Orde Infineon Technologies |
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SPN04N60C2 Cool MOS Power Transistor Final data
SPN04N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology
Worldwide best RDS(on) in SOT 223
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 0.95 0.8
SOT-223
4
V Ω A
Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances Improved noise i Infineon |
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VDS RDS(on) ID
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SOT-223
4
V Ω A
Ultra low gate charge Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance
3 2 1
VPS05163
T Infineon |
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