SSP4N60의 가격 정보 및 구매처를 확인 할 수 있습니다. |
|
|
검색 결과 목록 |
| SSP4N60 (SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET   Samsung Electronics |
| SSP4N60AS Advanced Power MOFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.)
SSP4N60AS
BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A
TO-  Fairchild Semiconductor |
기타 추천 정보 |
[오늘의 상한가/하한가] 1월 9일 상한가/하한가 총정리 (feat....
다만 본업(상용차 시트 제조)의 수익성 개선이 동반되지 않으면 테마성 성격이 강해질 수 있음.... 투자포인트: 광트랜시버는 전기 신호와 광 신호를 변환하는 핵심 통신 부품으로, AI 서버·데이터센터...
자산관리의 시작, 에이치비투자그룹 공식 블로그 - 작성일 : 20260109
폭스바겐 골프의 쇠퇴, SSP [EV+ICE] 플랫폼, 26년 라인업 [US]
시장조사기관 데이터포스(Dataforce)에 따르면, 작년 유럽에서 폭스바겐은 216,549대의 골프를... 12스피커 하만카돈 오디오 / 손따 (열선핸들) / 1열 엉뜨 엉쿨 (통풍시트( / 2열 열선이 제공됩니다 )...
아직어른이 - 작성일 : 20250704
오픈파츠 재고리스트 (1522)
부품명 / 제조사 7495-000-027-2 / 3COM F711975AGFT / 3COM 7495-000-042 / 3COM 7495-000... TSM4N60CH C5G / 2SA1241-Y / FS2ASJ-3-A1 / DE3L2 / SB4045PT / IHW30N90T / KCQ60A04...
openparts님의 블로그 - 작성일 : 20260210
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록 |
|
SSP10N60A Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 Ω (Typ.)
SSP10N60A
BVDSS = 600 V RDS(on) = 0.8 Ω ID = 9 A
TO-22 Fairchild Semiconductor  |
|
SSP10N60B 600V N-Channel MOSFET
SSP10N60B, SSS10N60B
SSP10N60B, SSS10N60B
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state res Fairchild Semiconductor |
|
SSP11N60C2 Power Transistor
Final data
SPP11N60C2, SPB11N60C2 SPA11N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS @ Tjmax 650 R DS(on) ID
P-TO263-  infineon |
|
SSP1601 DSP Samsung Electronics |
|
SSP1N50A Advanced Power MOSFET w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
Samsung Electronics |
|
국내 및 해외 전자부품 구매 정보 및 가격정보를 쉽게 확인 할수 있습니다. 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다. |
|
검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. 이 페이지에 대한 링크를 허용합니다. |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 맵 : 1, 2 |