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| SSP4N60 (SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET   Samsung Electronics |
| SSP4N60AS Advanced Power MOFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.)
SSP4N60AS
BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A
TO-  Fairchild Semiconductor |
기타 추천 정보 |
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아직어른이 - 작성일 : 20250704
2025년 11월 7일 - 8일 미국주식정보(25.11.8 19시30분쯤...
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호기심 - 작성일 : 20251107
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호기심 - 작성일 : 20251116
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록 |
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SSP10N60A Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 Ω (Typ.)
SSP10N60A
BVDSS = 600 V RDS(on) = 0.8 Ω ID = 9 A
TO-22 Fairchild Semiconductor  |
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SSP10N60B 600V N-Channel MOSFET
SSP10N60B, SSS10N60B
SSP10N60B, SSS10N60B
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state res Fairchild Semiconductor |
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SSP11N60C2 Power Transistor
Final data
SPP11N60C2, SPB11N60C2 SPA11N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS @ Tjmax 650 R DS(on) ID
P-TO263-  infineon |
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SSP1601 DSP Samsung Electronics |
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SSP1N50A Advanced Power MOSFET w
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Samsung Electronics |
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