SW2604 가격 및 재고 조회

SW2604 置高 三 管 流型 PWM 控制器 描述： SW2604 采用 工 制造、 建防 、防 和 路，能 足 色 保保准的 源控制器；采用 源（85 264V） ， 出功率 8 12W。 泛适用于 型 源，如 DVD 机 盒、打印机、 机、LCD 示器等。 特点： 采用

SW2604 高性能 流模式 PWM 源控制器 述 SW2604采用 工 制造、 建防 、防 和 路,能 足 色 保 准的 源控制器; 提高 路性能 的一致性 , 部基准 行了特 , 以提高 部基准 的精度。采用 源 (85--265) ,典型 出功率12W,最高 出功率可

SAMWIN SW20N50 N-channel Power MOSFET Features ■ High ruggedness MOSFET ■ RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V ■ Gate Charge (Max 80nC) ■ Improved dv, dt Capability ■ 100% Avalanche Tested TO-3P BVDSS : 500V ID : 20A* RDS(ON) : 0.27ohm 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descripti

SW20N50D Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification N-channel MOSFET BVDSS 500V ID 20A RDS(on) < 0.3W Device SW20N50D Package TO-3PN Marking SW20N50D Remark RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-Source Voltage Gate-S

SAMWIN SW20N50U N-channel TO-3P MOSFET Features ■ High ruggedness ■ RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V ■ Gate Charge (Typ 103 nC) ■ Improved dv, dt Capability ■ 100% Avalanche Tested TO-3P 12 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS

SAMWIN SW20N60 N-channel Power MOSFET Features ■ High ruggedness MOSFET ■ RDS(ON) (Max 0.3Ω)@VGS=10V ■ Gate Charge (Max 80 nC) ■ Improved dv, dt Capability ■ 100% Avalanche Tested TO-3P BVDSS : 600V ID : 20A* RDS(ON) : 0.3ohm 1 2 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descript

SAMWIN SW20N60U N-channel TO-3P MOSFET Features TO-3P ■ High ruggedness ■ RDS(ON) (Max0.45Ω)@VGS=10V ■ Gate Charge (Typical 108nC) ■ Improved dv, dt Capability ■ 100% Avalanche Tested 12 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power MOSFET is produced with advanced V