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T435800W

4A TRIACS

® T4 Series 4A TRIACS SNUBBERLESS™ & LOGIC LEVEL MAIN FEATURES: Symbol IT(RMS) VDRM, VRRM IGTT (Q1) Value 4 600 to 800 5 to 35 Unit A V A2 G A2 A1 A2 mA A1 A2 G A1 A2 G DESCRIPTION Based on ST’s Snubberless , Logic level technology providing high commutation performances, the T4 series



T435800W PDF 데이터시트

STMicroelectronics
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T435800W

4A TRIACs

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T435800W PDF 데이터시트

JIEJIE MICROELECTRONICS
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관련 검색 목록

T431616A

1M x 16 SDRAM



TM
TM

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T431616B

1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM

tm TE CH T431616B SDRAM FEATURES +2.7 to +3.6V power supply Dual banks operation LVTTL compatible with multiplexed address All inputs are sampled at the positive going edge of system clock Burst Read Single-bit Write operation DQM for masking Auto refresh and self refresh 32ms refresh p


TMT
TMT

datasheet T431616B pdf


T431616C

1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM

tm TE CH T431616C SDRAM FEATURES 3.3V power supply Clock cycle time : 6 , 7 ns Dual banks operation LVTTL compatible with multiplexed address All inputs are sampled at the positive going edge of system clock Burst Read Single-bit Write operation DQM for masking Auto refresh and self ref


TMT
TMT

datasheet T431616C pdf


T431616D

(T431616D/E) 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM

tm TE CH T431616D, E SDRAM FEATURES Fast access time: 5, 6, 7 ns Fast clock rate: 200, 166, 143 MH- Self refresh mode: standard and low power Internal pipelined architecture 512K word x 16-bit x 2-bank Programmable Mode registers - CAS# Latency: 1, 2, or 3 - Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full


TMT
TMT

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T431616E

(T431616D/E) 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM

tm TE CH T431616D, E SDRAM FEATURES Fast access time: 5, 6, 7 ns Fast clock rate: 200, 166, 143 MH- Self refresh mode: standard and low power Internal pipelined architecture 512K word x 16-bit x 2-bank Programmable Mode registers - CAS# Latency: 1, 2, or 3 - Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full


TMT
TMT

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