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TJ8S06M3L MOSFETs TJ8S06M3L
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS )
TJ8S06M3L
1. Applications
Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) (4) AEC-Q101 qualified Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) Low leakage current: IDSS = -1 ![]() ![]() Toshiba Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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