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TMD54X110CBB

TFT Module

Hitachi Displays, Ltd. Date; May. 29, 2009 TECHNICAL DATA TMD54X110CBB CONTENTS No. Item COVER RECORD OF REVISION APPLICATION DESCRIPTION 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 2 OPTICAL CHARACTERISTICS 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 4 BLOCK DIAGRAM 5 INTERFACE PIN ASSIGNMENT 6 TIMING DIAGRAMS OF INTERFAC



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TMD1013-1

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER



Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

datasheet TMD1013-1 pdf


TMD1013-1-431

Microwave Power MMIC Amplifier

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FEATURES High Power P1dB=33dBm(TYP.) High Power Added Efficiency ηadd=14%(TYP.) TMD1013-1-431 TMD1013-1-431 High Gain G1dB=25dB(TYP.) Operable Frequency : f=10.0-12.0GHz. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C) CHARACTERIST


Toshiba
Toshiba

datasheet TMD1013-1-431 pdf


TMD1414-2C

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TMD1414-2C FEATURES n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GH- to 14.5GH- n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GH- to 14.5GH- n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED n HERMETICALLY SEALED PACKAGE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25°C ) CHARACTE


Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

datasheet TMD1414-2C pdf


TMD16N25Z

N-channel MOSFET

Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK TMD16N25Z(G), TMU16N25Z(G) BVDSS 250V N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W I-PAK Device TMD16N25Z , TMU16N25Z TMD16N25ZG , TMU16N25ZG Package D-PAK,


TRinno
TRinno

datasheet TMD16N25Z pdf


TMD16N25ZG

N-channel MOSFET

Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK TMD16N25Z(G), TMU16N25Z(G) BVDSS 250V N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W I-PAK Device TMD16N25Z , TMU16N25Z TMD16N25ZG , TMU16N25ZG Package D-PAK,


TRinno
TRinno

datasheet TMD16N25ZG pdf



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