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TMD54X110CBB TFT Module Hitachi Displays, Ltd.
Date; May. 29, 2009
TECHNICAL DATA TMD54X110CBB
CONTENTS
No. Item COVER RECORD OF REVISION APPLICATION DESCRIPTION 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 2 OPTICAL CHARACTERISTICS 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 4 BLOCK DIAGRAM 5 INTERFACE PIN ASSIGNMENT 6 TIMING DIAGRAMS OF INTERFAC PDF 다운로드Hitachi |
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TMD1013-1 MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER Toshiba Semiconductor |
TMD1013-1-431 Microwave Power MMIC Amplifier MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER
MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
FEATURES High Power P1dB=33dBm(TYP.) High Power Added Efficiency ηadd=14%(TYP.)
TMD1013-1-431 TMD1013-1-431
High Gain
G1dB=25dB(TYP.)
Operable Frequency : f=10.0-12.0GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C) CHARACTERIST Toshiba |
TMD1414-2C MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER
MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
TMD1414-2C
FEATURES
n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GH- to 14.5GH- n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GH- to 14.5GH- n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED n HERMETICALLY SEALED PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25°C )
CHARACTE Toshiba Semiconductor |
TMD16N25Z N-channel MOSFET Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification
D-PAK
TMD16N25Z(G), TMU16N25Z(G)
BVDSS 250V
N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W
I-PAK
Device TMD16N25Z , TMU16N25Z TMD16N25ZG , TMU16N25ZG
Package D-PAK, TRinno |
TMD16N25ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification
D-PAK
TMD16N25Z(G), TMU16N25Z(G)
BVDSS 250V
N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W
I-PAK
Device TMD16N25Z , TMU16N25Z TMD16N25ZG , TMU16N25ZG
Package D-PAK, TRinno |
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