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TR2010 Thin Film Chip Resistor ■ Thin Film Chip Resistor TR Series
■ Construction
1 Alumina Substrate 2 Bottom Electrode (Ag) 3 Top Electrode (Ag, Pd) 4 Barrier Layer (Ni)
5 External Electrode (Sn) 6 Resistor Layer (NiCr) 7 Primary Overcoat (Epoxy) 8 Marking
■ Application
Medical equipments, Military equipments Conver PDF 다운로드EVER OHMS TECHNOLOGY |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
TR2.5-800-14 SILICON TRIACS TR2.5 SERIES SILICON TRIACS
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Sensitive Gate Triacs 2.5 A RMS Glass Passivated Wafer 400 V to 800 V Off-State Voltage Max IGT of 5 mA (Quadrant 1)
MT1 MT2 G
1 2 3 TO-220 PACKAGE (TOP VIEW)
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.
absolute maximum ratings
over operating case TRSYS |
TR20 Diode (spec sheet) American Microsemiconductor |
TR2002SF RECTIFIER DIODE TRSYS |
TR2004SF RECTIFIER DIODE TR2004SF
PACKAGE DETAILS
For further package information, please contact your local Customer Service Centre. All dimensions in mm, unless stated otherwise. DO NOT SCALE.
2 holes Ø3.6x2.0 deep (in both electrodes)
Cathode Ø76 max Ø48 nom
Ø48 nom
Anode
Nominal weight: 500g Clamping force: 19. TRSYS |
TR2007SF RECTIFIER DIODE TRSYS |
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