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TR2010

Thin Film Chip Resistor

■ Thin Film Chip Resistor TR Series ■ Construction 1 Alumina Substrate 2 Bottom Electrode (Ag) 3 Top Electrode (Ag, Pd) 4 Barrier Layer (Ni) 5 External Electrode (Sn) 6 Resistor Layer (NiCr) 7 Primary Overcoat (Epoxy) 8 Marking ■ Application Medical equipments, Military equipments Conver



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TR2.5-800-14

SILICON TRIACS

TR2.5 SERIES SILICON TRIACS l l l l l Sensitive Gate Triacs 2.5 A RMS Glass Passivated Wafer 400 V to 800 V Off-State Voltage Max IGT of 5 mA (Quadrant 1) MT1 MT2 G 1 2 3 TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. absolute maximum ratings over operating case


TRSYS
TRSYS

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TR20

Diode (spec sheet)



American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

datasheet TR20 pdf


TR2002SF

RECTIFIER DIODE



TRSYS
TRSYS

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TR2004SF

RECTIFIER DIODE

TR2004SF PACKAGE DETAILS For further package information, please contact your local Customer Service Centre. All dimensions in mm, unless stated otherwise. DO NOT SCALE. 2 holes Ø3.6x2.0 deep (in both electrodes) Cathode Ø76 max Ø48 nom Ø48 nom Anode Nominal weight: 500g Clamping force: 19.


TRSYS
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TR2007SF

RECTIFIER DIODE



TRSYS
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