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TSB10N60M

N-Channel MOSFET

TSB10N60M , TSI10N60M TSB10N60M , TSI10N60M 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using True semi‘s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfor



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TSB10N65M

N-Channel MOSFET

TSB10N65M , TSI10N65M TSB10N65M , TSI10N65M 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using True semi‘s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfor


Truesemi
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datasheet TSB10N65M pdf


TSB1132

Low Frequency PNP Transistor

TSB1132 Low Frequency PNP Transistor Pin assignment: 1. Base 2. Collector 3. Emitter BVCEO = - 32V Ic = - 1A VCE (SAT), =- 0.15V(typ.) @Ic , Ib =- 0.5A , - 50mA Features Low VCE (SAT). Excellent DC current gain characteristics Ordering Information Part No. TSB1132CY Packing Tape & Reel Package


Taiwan Semiconductor Company
Taiwan Semiconductor Company

datasheet TSB1132 pdf


TSB1184

Low Vce(sat) PNP Transistor

TSB1184 Low Vce(sat) PNP Transistor Pin Assignment: 1. Base 2. Collector 3. Emitter BVCEO = - 50V Ic = - 3A VCE (SAT), = - 0.3V(typ.) @Ic , Ib = - 2A , - 0.1A Features Low VCE (SAT). Excellent DC current gain characteristics Ordering Information Part No. TSB1184CP Packing Tape & Reel Package TO


Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor

datasheet TSB1184 pdf


TSB1184A

Low Vce(sat) PNP Transistor

TSB1184A Low Vce(sat) PNP Transistor Pin Assignment: 1. Base 2. Collector 3. Emitter BVCEO = - 50V Ic = - 3A VCE (SAT), = - 0.3V(typ.) @Ic , Ib = - 2A , - 0.1A Features Low VCE (SAT). Ordering Information Part No. TSB1184ACP Packing Tape & Reel Package TO-252 Excellent DC current gain char


Taiwan Semiconductor Company
Taiwan Semiconductor Company

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TSB11LV01

3-V 1-Port IEEE 1394-1995 Cable Transceiver/Arbiter (Rev. B)



Texas Instruments
Texas Instruments

datasheet TSB11LV01 pdf



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