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UK3018

2.5V DRIVE SILICON N-CHANNEL MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK3018 Preliminary 2.5V DRIVE SILICON N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC UK3018 is a Silicon N-channel MOSFET, designed to minimize on-state resistance while it provides rugged, reliable and fast switching performance. The product is particularly suited for low



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Unisonic Technologies
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UK3018BW

2.5V DRIVE SILICON N-CHANNEL MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK3018BW Preliminary 2.5V DRIVE SILICON N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC UK3018BW is a Silicon N-channel MOSFET, designed to minimize on-state resistance while it provides rugged, reliable and fast switching performance. The product is particularly suited for



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UK3568

Power MOSFET ( Transistor )

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK3568 SILICON N-CHANNEL MOS TYPE DESCRIPTION The UK3568 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON


Unisonic Technologies
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datasheet UK3568 pdf


UK3919

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK3919 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET Power MOSFET DESCRIPTION This UK3919 N-Channel Logic Level MOSFET is produced using UTC Semiconductor advanced Power Trench process which has been tailored to make the on-state resistance minimum and yet maintain low gate char


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datasheet UK3919 pdf



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