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VB200 Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R ![]() ![]() New Jersey Semiconductor |
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VB20100C Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com
V20100C, VF20100C, VB20100C, VI20100C
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
TO-220AB
TMBS ®
ITO-220AB
V20100C
3 2 1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
TO-263AB
K
VF20100C
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PIN 1
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VB20100S High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
New Product
V20100S, VF20100S, VB20100S & VI20100S
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-220AB ITO-220AB
FEATURES Trench MOS Schottky technology Low forward voltage drop, low power losses High efficiency ![]() Vishay ![]() |
VB20100SG High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier V20100SG, VF20100SG, VB20100SG, VI20100SG
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
TO-220AB
TMBS ®
ITO-220AB
V20100SG
3 2 1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
TO-263AB
K
123
VF20100SG
PIN 1
PIN 2
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VB20120C Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier New Product
V20120C, VF20120C, VB20120C & VI20120C
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-220AB ITO-220AB
FEATURES Trench MOS Schottky technology Low forward voltage drop, low power losses High efficienc ![]() Vishay ![]() |
VB20120C-E3 Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier V20120C-E3, VF20120C-E3, VB20120C-E3, VI20120C-E3
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
TO-220AB
TMBS ®
ITO-220AB
V20120C
3 2 1
PIN 1
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VF20120C
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