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W9NB80 STW9NB80 ®
STW9NB80
N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STW 9NB80
s s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) <1Ω
ID 9.3 A
TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CH PDF 다운로드STMicroelectronics |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
W9NB90 STW9NB90 ® STW9NB90
N-CHANNEL 900V - 0.85Ω - 9.7A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE
V DSS
RDS(on)
ID
S TW 9NB9 0
900 V
<1Ω
9.7 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω s EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES s GAT STMicroelectronics |
W9NK70Z STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1Ω - 7.5A TO-220, FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
TYPE STP9NK70Z STP9NK70ZFP STB9NK70Z STB9NK70Z-1 STW9NK70Z
s s s s s s s
STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z
VDSS 700 700 700 700 700 V V V V V
RDS(on) < 1.2 < 1.2 < 1.2 STMicroelectronics |
W9NK90Z STW9NK90Z
STB9NK90Z - STFPNK90Z STP9NK90Z - STW9NK90Z
N-channel 900V - 1.1Ω - 8A - TO-220 , FP- D2PAK - TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET
General features
Type STB9NK90Z STW9NK90Z STP9NK90Z STF9NK90Z
■ ■ ■
VDSS 900V 900V 900V 900V
RDS(on) <1.3Ω <1.3Ω <1.3Ω <1.3Ω
ID 8A 8A 8A 8A
Pw STMicroelectronics |
W9NK95Z STW9NK95Z STW9NK95Z
N-channel 950 V - 1.15 Ω - 7 A - TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STW9NK95Z
VDSS
RDS(on) Max
ID
950 V < 1.38 Ω 7 A
Pw 160 W
■ Extremely high dv, dt capability ■ 100% avalanche tested ■ Gate charge minimized
Application
■ Switching applicat STMicroelectronics |
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