K80E08K3 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.
이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 K80E08K3 입니다.
반도체 부품 중의 하나이며, TK80E08K3 기능을 가지고 있습니다.
해당 부품의 제조사는 Toshiba 입니다.
사진 및 이미지 :
K80E08K3 데이터시트 PDF
PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :
Target Specification TK80E08K3 ) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOS TK80E08K3 E-Bike/UPS/Inverter Unit: mm Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mode : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) : |Yfs| = 135 S (typ.) : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V) : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Drain−source voltage Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate−source voltage DC Drain current (Note 1) Symbol VDSS VDGR VGSS ID ID IDP PD EAS IAR EAR dv/dt Tch Tstg Rating 75 75 ±20 80 70 240 200 107 40 20 12 175 −55~175 Unit V V V A A A W mJ A mJ V/ns °C °C DC (Note 1,4) Pulse (Note 1) Drain power dissipation (Tc = 25°C) Single pulse avalanche energy (Note 2) Avalanche current Repetitive avalanche energy (Note 3) Peak diode recovery dv/dt (Note 5) Channel temperature (Note 4) Storage temperature range (Note 4) JEDEC JEITA TOSHIBA TO-220AB SC-46 We […]
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.