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| 2SD711 NPN Power Transistor 2SD711
FUJI POWER TRANSISTOR
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING
hFE ASO
Features High D.C. current gain Low saturation voltage Excellent safe operating area
High reliability
Outline Drawings
TO-3
Applications Motor controls Inverters, choppers Sw  Fuji [ 데이터시트 다운로드 ] |
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2SD0592A Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs  Panasonic Semiconductor  |
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2SD0601 Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package Panasonic Semiconductor |
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2SD0601A Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a Panasonic Semiconductor |
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