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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | 28C512 온세미컨덕터 반도체 | CAT28C512 CAT28C512, 513
512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
FEATURES
s Fast Read Access Times: 120, 150 ns s Low Power CMOS Dissipation: s Automatic Page Write Operation:
Active: 50 mA Max. Standby: 200 A Max.
s Simple Write Operation:
1 to 128 Bytes in 5ms Page Load Timer
s End of Write Detection:
On-Ch | |
데이터시트 다운로드 |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
28C010T | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 28C010T
1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
VCC VSS RES OE CE WE RES A0 Y Decoder Address Buffer and Latch A7 A16 Data Latch Y Gating I, O Buffer and Input Latch Control Logic Timing High Voltage Generator I, O0 I, O7 RDY, Busy
A6
X Decoder
Memory Array
Memory
Logic Diagram
FEATURES:
128k x 8-b |
Maxwell Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
28C011T | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
VCC VSS RES OE CE WE RES A0 A6 Address Buffer and Latch Y Decoder Y Gating I, O Buffer and Input Latch Control Logic Timing High Voltage Generator I, O0 I, O7 RDY, Busy
28C011T
A7 A16
X Decoder
Memory Array
Data Latch
Memory
Logic Diagram
FEATURES:
128k x 8-b |
ETC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
28C011T | 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 28C011T
1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
VCC VSS RES OE CE WE RES A0 I, O Buffer and Input Latch Control Logic Timing High Voltage Generator I, O0 I, O7 RDY, Busy
28C011T
Y Decoder Address Buffer and Latch
Y Gating
A6
A7 A16
X Decoder
Memory Array
Data Latch
Memory
Logic Diagram
FEATURES |
Maxwell Technologies |
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