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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SH28 Hitachi Semiconductor | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 2SH28
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
ADE-208-790A(Z) 2nd. Edition May 1999 Features
High speed switching Low on-voltage
Outline
TO 220AB
C
G
1 E 2 3
1. Gate 2. Collector (Flange) 3. Emitter
2SH28
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to Emitter voltage Gate |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SH11 | Silicon N-Channel IGBT ADE 208 274 (Z)
2SH11 Silicon N-Channel IGBT
1st. Edition Feb. 1995 Application
TO 220AB
High speed power switching
Features
2
High speed switching Low on saturation voltage
1
1 3 2 3
1. Gate 2. Collector 3. Emitter
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to emitter vol |
Hitachi Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SH12 | Silicon N-Channel IGBT ADE 208 275 (Z)
2SH12 Silicon N-Channel IGBT
1st. Edition Feb. 1995 Application
High speed power switching
TO 220AB
Features
High speed switching Low on saturation voltage
1 2
1 3 2 3
1. Gate 2. Collector 3. Emitter
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to emitter volta |
Hitachi Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SH13 | Silicon N-Channel IGBT ADE 208 286 (Z)
2SH13 Silicon N-Channel IGBT
1st. Edition Feb. 1995 Application
High speed power switching
TO 220AB
Features
High speed switching Low on saturation voltage
1 2
1 3 2 3
1. Gate 2. Collector 3. Emitter
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to emitter volta |
Hitachi Semiconductor |
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