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2SH28

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

2SH28 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching ADE-208-790A(Z) 2nd. Edition May 1999 Features High speed switching Low on-voltage Outline TO 220AB C G 1 E 2 3 1. Gate 2. Collector (Flange) 3. Emitter 2SH28 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to Emitter voltage Gate



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2SH14

Silicon N-Channel IGBT

ADE 208 287 (Z) 2SH14 Silicon N-Channel IGBT 1st. Editon Feb. 1995 Application TO 3P High speed power switching Features High speed switching Low on saturation voltage 1 2 3 1 2 3 1. Gate 2. Collector 3. Emitter Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to emitter volta


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2SH15

Silicon N-Channel IGBT

ADE 208 288 (Z) 2SH15 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Feb. 1995 Application High speed power switching TO 3P Features High speed switching Low on saturation voltage 1 2 3 1 2 3 1. Gate 2. Collector 3. Emitter Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to emitter volta


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2SH16

Silicon N-Channel IGBT

ADE 208 289 (Z) 2SH16 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Nov. 1994 Application High speed power switching TO 3PL Features 2 High speed switching Low on saturation voltage 1 3 1 2 1. Gate 2. Collector 3. Emitter 3 Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to emitter vo


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2SH17

Silicon N-Channel IGBT

ADE 208 290 (Z) 2SH17 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Feb. 1995 Application TO 220AB High speed power switching Features 2 High speed switching Low on saturation voltage 1 1 3 2 3 1. Gate 2. Collector 3. Emitter Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to emitter vol


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2SH18

Silicon N-Channel IGBT

ADE 208 291 (Z) 2SH18 Silicon N-Channel IGBT 1st. Edition Feb. 1995 Application High speed power switching TO 220AB Features High speed switching Low on saturation voltage 1 2 1 3 2 3 1. Gate 2. Collector 3. Emitter Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to emitter volta


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