35N10 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-Channel MOSFET Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	35N10 Inchange Semiconductor	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 35N10 ·FEATURES ·Drain Current ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.055Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switching power supplies,conv
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
35N08	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 35N08 ·FEATURES ·Drain Current ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.055Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switching power supplies,conve	Inchange Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
35N10	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 35N10 ·FEATURES ·Drain Current ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.055Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switching power supplies,conv	Inchange Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
35N15E	MTW35N15E MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MTW35N15E, D Designer's TMOS E-FET .™ Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This advanced TMOS E FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commuta	Motorola Semiconductors

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