4AK19 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	4AK19 Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 4AK19 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-727 (Z) 1st. Edition February 1999 Features Low on-resistance N Channel: R DS(on) ≤ 0.5 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A R DS(on) ≤ 0.6 Ω, VGS = 4 V, ID = 2.5 A 4 V gate drive devices. High density mounting Outline SP-10 3 D
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AK15	Silicon N-Channel Power MOS FET Array 4AK15 Silicon N-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance R DS(on) ≤ 0.07 , VGS = 10 V, I D = 8 A R DS(on) ≤ 0.095 , VGS = 4 V, I D = 8 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable fo	Hitachi Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AK16	Silicon N-Channel Power MOS FET Array 4AK16 Silicon N-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance R DS(on) ≤ 0.18 , VGS = 10 V, I D = 5 A R DS(on) ≤ 0.25 , VGS = 4 V, I D = 5 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable for	Hitachi Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AK17	Silicon N-Channel Power MOS FET Array 4AK17 Silicon N-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance R DS(on) ≤ 0.045 , VGS = 10 V, I D = 10 A R DS(on) ≤ 0.065 , VGS = 4 V, I D = 10 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed switching High density mounting Suitable	Hitachi Semiconductor

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