4AM11 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	4AM11 Hitachi Semiconductor	Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array 4AM11 Silicon N-Channel, P-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance N-channel: RDS(on) ≤ 0.17 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A P-channel: RDS(on) ≤ 0.2 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed swi
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AM11	Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array 4AM11 Silicon N-Channel, P-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance N-channel: RDS(on) ≤ 0.17 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A P-channel: RDS(on) ≤ 0.2 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed swi	Hitachi Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AM13	Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array 4AM13 Silicon N-Channel, P-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance N-channel: RDS(on) ≤ 0.4 Ω, VGS = 10 V, ID = 1.5 A P-channel: RDS(on) ≤ 0.45 Ω, VGS = 10 V, ID = 1.5 A Capable of 4 V gate drive Low drive current High speed swi	Hitachi Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
4AM15	Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array 4AM15 Silicon N-Channel, P-Channel Power MOS FET Array Application High speed power switching Features Low on-resistance N Channel: RDS(on) ≤ 0.5 Ω, VGS = 10 V, ID = 2 A P Channel: RDS(on) ≤ 0.9 Ω, VGS = 10 V, ID = 2 A Low drive current High speed switching High density mounting Sui	Hitachi Semiconductor

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