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BB135 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 UHF variable capacitance diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | BB135 Philipss | UHF variable capacitance diode DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
alfpage
M3D049
BB135 UHF variable capacitance diode
Product speci cation Supersedes data of 1996 May 03 1998 Sep 15
Philips Semiconductors
Product speci cation
UHF variable capacitance diode
FEATURES Excellent linearity Very small plastic SMD package. C28: | ![]() |
2 | BB135 Leshan Radio Company | UHF Variable Capacitance Diode | ![]() |
3 | BB135 NXP Semiconductors | UHF variable capacitance diode DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
alfpage M3D049
BB135 UHF variable capacitance diode
Product specification Supersedes data of 1998 Sep 15
2004 Mar 01
NXP Semiconductors
UHF variable capacitance diode
Product specification
BB135
FEATURES
Excellent linearity Very small plastic SMD package. | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB101C | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier BB101C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-505 1st. Edition Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. Low noise characteristics; (NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz) Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 |
![]() Hitachi |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB101M | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier BB101M
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-504 1st. Edition Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. Low noise characteristics; (NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz) Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 |
![]() Hitachi |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB102C | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier BB102C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-588 (Z) 1st. Edition November 1997 Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. Low noise characteristics; (NF = 2.1 dB typ. at f = 900 MHz) Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. W |
![]() Hitachi |
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