BB503M 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	BB503M Hitachi	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB503M Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier ADE-208-811B(Z) 3rd. Edition Jul. 1999 Features Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. Low noise; NF = 1.8 dB typ. at f = 900 MH- High gain; PG = 22 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build in E
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BB501	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build	Hitachi
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BB501	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build	Hitachi
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BB501C	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build	Hitachi

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