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BB535 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon Variable Capacitance Diode (For UHF and TV/TR tuners Large capacitance ratio / low series resistance)의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | BB535 Siemens Group | Silicon Variable Capacitance Diode (For UHF and TV/TR tuners Large capacitance ratio / low series resistance) BB 535 Silicon Variable Capacitance Diode
For UHF and TV, TR tuners Large capacitance ratio, low series resistance
Type BB 535
Marking Ordering Code white S Q62702-B580
Pin Configuration 1=C 2=A
Package SOD-323
Maximum Ratings Parameter Diode reverse voltage Peak reverse voltage (R ≥ 5kΩ) | ![]() |
2 | BB535 Leshan Radio Company | Silicon Variable Capacitance Diode | ![]() |
3 | BB535 Infineon Technologies AG | Silicon Tuning Diode BB535 , BB555...
Silicon Tuning Diode
For UHF-TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance Excellent uniformity and matching due to
"in-line" matching assembly procedure
BB535 BB555, -02V
1
2
Type BB535 BB555 BB555-02V
Package SOD323 SCD80 SC79
Config | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB501 | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build |
![]() Hitachi |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB501 | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build |
![]() Hitachi |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BB501C | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier BB501C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998 Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MH- Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MH- Withstanding to ESD; Build |
![]() Hitachi |
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