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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | BCF030T BeRex | HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP BCF030T
HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP (.3 m x 300 m)
The BeRex BCF030T is a GaAs Power MESFET whose nominal 0.3 micron gate length and 300 micron gate width make the product ideally suited to applications requiring high OIP3 linearity and low phase noise while providing high-gain a |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BCF020T | HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP BCF020T
HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP (.3 m x 200 m)
The BeRex BCF020T is a GaAs Power MESFET whose nominal 0.3 micron gate length and 200 micron gate width make the product ideally suited to applications requiring high OIP3 linearity and low phase noise while providing high-gain a |
BeRex |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BCF030T | HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP BCF030T
HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP (.3 m x 300 m)
The BeRex BCF030T is a GaAs Power MESFET whose nominal 0.3 micron gate length and 300 micron gate width make the product ideally suited to applications requiring high OIP3 linearity and low phase noise while providing high-gain a |
BeRex |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BCF040T | HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP BCF040T
HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP (.3 m x 400 m)
The BeRex BCF040T is a GaAs Power MESFET whose nominal 0.3 micron gate length and 400 micron gate width make the product ideally suited to applications requiring high OIP3 linearity and low phase noise while providing high-gain a |
BeRex |
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