|
|
BLH3355 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
BLH3355의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | BLH3355 SHANGHAI BELLING | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP
BLH3355
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP (BLH3355)
Description
NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification
Features
Low noise and high gain bandwidth product High power gain
Applications
UHF , VHF wide band amplifier
Structure
Planar type Electrodes: Alum |  |
데이터시트 다운로드 | |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BLH3355 | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP
BLH3355
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP (BLH3355)
Description
NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification
Features
Low noise and high gain bandwidth product High power gain
Applications
UHF , VHF wide band amplifier
Structure
Planar type Electrodes: Alum |
SHANGHAI BELLING |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BLH3356 | High-frequency low-noise NPN transistor
BLH3356
高 低 NPN 晶 管 描述: 描述:
BLH3356 是一 低 和高功率增益的硅外延 NPN 晶 管。
用: 用:
高 低 放大
工作 件 (T=25℃ T=25℃)
BC 穿 EC 穿 EB 穿 集 流 功耗 度 存 度 符 VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 20 12 3 100 0.2 150 -65-+150 � |
SHANGHAI BELLING |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BLH3356B | High-frequency low-noise NPN transistor
BLH3356B
高 低 NPN 晶 管 描述：
硅外延 NPN 晶 管
用：
高 低 放大，用于 VHF，UHF 和 CATV
工作 件(T=25℃)：
BC 穿 EC 穿 EB 穿 集 流 功耗 度 存 度
符合
VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg
20 12 3 200 0.5 150 -65-+150
位
V V V mA W ℃ ℃
|
SHANGHAI BELLING |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |