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C3M0065090D 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon Carbide Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | C3M0065090D Cree | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 900 V
C3M0065090D
ID @ 25˚C
36 A
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capac |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3M0065090D | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 900 V
C3M0065090D
ID @ 25˚C
36 A
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3M SiC MOSFET technology High blocking voltage with low On-resistance High speed switching with low capac |
Cree |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3M0065090J | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 900 V
C3M0065090J
ID @ 25˚C
35 A
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3M SiC MOSFET technology New low impedance package with driver source pin 7mm of creepage distance betwee |
Cree |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3M0065100K | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 1000 V
C3M0065100K
ID @ 25˚C
35 A
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C3M MOSFET Technology
RDS(on) 65 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C3MTM SiC MOSFET technology
Optimized package with separate driver source pin
8mm of creepage distance |
Cree |
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