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DCF10C60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Standard Gate SCR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | DCF10C60 DnI | Standard Gate SCR
DCF10C60
Standard Gate Silicon Controlled Rectifiers
Features
3.Gate
Symbol
2. Anode
BVDRM = 600V IT(RMS) = 6 A ITSM = 66 A
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 10 A ) Low On-State Voltage (1.4V(Typ.)@ ITM) Isolation Voltage ( VISO = 2500V AC )
1.Cathode
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데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| DCF010 | Ultrahigh-Speed Switching Diode Ordering number:EN2789B
DCF010
Silicon Epitaxial Planar Type (Anode Common)
Ultrahigh-Speed Switching Diode
Features
· Ideally suited for use in hybrid ICs because of very small-sized package. · Fast switching speed. · Small interterminal capacitance.
Package Dimensions
unit:mm 1186A
[DCF010]
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 Sanyo Semicon Device |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| DCF015 | High-Speed Switching Diode Ordering number:EN2821A
DCF015
Silicon Epitaxial Planar Type (Anode Common)
High-Speed Switching Diode
Features
· Very small-sized package permitting DCF015applied sets to be made small and slim. · Fast switching speed. · Twin type, anode common.
Package Dimensions
unit:mm 1196
[DCF015]
C:Cat |
Sanyo Semicon Device |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| DCF10C60 | Standard Gate SCR
DCF10C60
Standard Gate Silicon Controlled Rectifiers
Features
3.Gate
Symbol
2. Anode
BVDRM = 600V IT(RMS) = 6 A ITSM = 66 A
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V R.M.S On-State Current ( IT(RMS)= 10 A ) Low On-State Voltage (1.4V(Typ.)@ ITM) Isolation Voltage ( VISO = 2500V AC )
1.Cathode
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DnI |
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