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DFD2N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | DFD2N60 DnI | N-Channel MOSFET
DFD2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
N-Channel MOSFET
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5 ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
DFD05T | 0.5A Power Rectifier Ordering number:EN2373
DFD05T
Diffused Junction Type Silicon Diode
0.5A Power Rectifier
Features
· High-speed switching use. · Plastic molded structure. · Reverse recovery time trr=0.15 s max (B, C, E, G). trr=0.3 s max (J, L, N, R, T). · Peak reverse voltage:VRM=100 to 1700V · Average rectif |
![]() Sanyo Semicon Device |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
DFD1N60 | N-Channel MOSFET
DFD2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
N-Channel MOSFET
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5 ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
DFD2N60 | N-Channel MOSFET
DFD2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
N-Channel MOSFET
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5 ohm ID = 2.1A
3. Source
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