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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | EKI04047 SANKEN | N Channel Trench Power MOSFET 40 V, 80 A, 4.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
EKI04047
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------5.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
EKI04027 | N Channel Trench Power MOSFET 40 V, 85 A, 2.6 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
EKI04027
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A RDS(ON) ----------3.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
EKI04036 | N Channel Trench Power MOSFET 40 V, 80 A, 3.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
EKI04036
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------3.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
EKI04047 | N Channel Trench Power MOSFET 40 V, 80 A, 4.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
EKI04047
Features
V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A RDS(ON) ----------5.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS |
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