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F28F010-150 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | F28F010-150 Intel Corporation | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
Y
Flash Electrical Chip-Erase 1 Second Typical Chip-Erase Quick Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Chip-Program 100 000 Erase Program Cycles 12 0V g 5% VPP High-Performance Read 65 ns Maximum Access Time CMOS Low Power Consumpti | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
F28F008SA | 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFile MEMORY 28F008SA 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY
Extended Temperature Specifications Included
Y High-Density Symmetrically-Blocked Architecture Sixteen 64-Kbyte Blocks
Y Extended Cycling Capability 100 000 Block Erase Cycles 1 6 Million Block Erase Cycles per Chip
Y Automated Byte Write and Block Er |
![]() Intel |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
F28F010-120 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
Y
Flash Electrical Chip-Erase 1 Second Typical Chip-Erase Quick Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Chip-Program 100 000 Erase Program Cycles 12 0V g 5% VPP High-Performance Read 65 ns Maximum Access Time CMOS Low Power Consumpti |
![]() Intel Corporation |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
F28F010-150 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
Y
Flash Electrical Chip-Erase 1 Second Typical Chip-Erase Quick Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Chip-Program 100 000 Erase Program Cycles 12 0V g 5% VPP High-Performance Read 65 ns Maximum Access Time CMOS Low Power Consumpti |
![]() Intel Corporation |
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