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FIR2N60FG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Advanced N-Ch Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | FIR2N60FG First Semiconductor | Advanced N-Ch Power MOSFET FIR2N60FG
Advanced N-Ch Power MOSFET
PIN Connection
TO-220F
Switchng Regulator Application Features
High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=3.4F(Typ.) Low gate charge : Qg= 7.0nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=7.0Ω(Max.)
G D S
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G
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Marking Diagram
Y A
YAWW
= Year = Assembly Location |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FIR20N120TDG | IGBT IGBT
Features
1200V,20A,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology
General Description
First semi NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heatin |
 American First Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FIR2N60FG | Advanced N-Ch Power MOSFET FIR2N60FG
Advanced N-Ch Power MOSFET
PIN Connection
TO-220F
Switchng Regulator Application Features
High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=3.4F(Typ.) Low gate charge : Qg= 7.0nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=7.0Ω(Max.)
G D S
D
G
S
Marking Diagram
Y A
YAWW
= Year = Assembly Location |
First Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FIR3441AG | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The FIR3441AG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
General Features VDS = -30V,ID = |
First Semiconductor |
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