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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | FJBE2150D Fairchild Semiconductor | NPN Silicon Transistor FJBE2150D ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor
January 2016
FJBE2150D ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor
ESBC Features (FDC655 MOSFET)
VCS(ON) 0.131 V
IC 0.5 A
Equiv. RCS(ON) 0.261 Ω(1)
Low Equivalent On Resistance Very Fast Switch: 150 kH- Squared RBSOA: Up to 1500 V Avalanche Rated | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FJB102 | High Voltage Power Darlington Transistor FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor
FJB102
High Voltage Power Darlington Transistor
Features
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter S |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FJB3307D | High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor FJB3307D High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
March 2012
FJB3307D High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
Features
Built-in Diode between Collector and Emitter Suitable for Electronic Ballast and Switch Mode Power Supplies
Internal Schematic Diagram C
1 D2-PAK 1.Base 2.Coll |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FJB5555 | NPN Silicon Transistor FJB5555 NPN Silicon Transistor
FJB5555
NPN Silicon Transistor
Features
Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area High Voltage Capability
Application
Electronic Ballast Switched Mode Power Supplies
June 2013
1 D2-PAK 1.Base 2.Collector 3.Emitter
1 B
C2 E3
Ordering Information
Part Nu |
![]() Fairchild Semiconductor |
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