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| FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor FJB102 High Voltage Power Darlington Transistor
FJB102
High Voltage Power Darlington Transistor
Features
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=3A (Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Collector-Emitter Sustaining Voltage Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter S   Fairchild Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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FJBE2150D NPN Silicon Transistor FJBE2150D ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor
January 2016
FJBE2150D ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor
ESBC Features (FDC655 MOSFET)
VCS(ON) 0.131 V
IC 0.5 A
Equiv. RCS(ON) 0.261 Ω(1)
Low Equivalent On Resistance Very Fast Switch: 150 kH- Squared RBSOA: Up to 1500 V Avalanche Rated Fairchild Semiconductor  |
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