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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | FLK017XP Eudyna Devices | GaAs FET & HEMT Chips FLK017XP
GaAs FET & HEMT Chips FEATURES
High Output Power: P1dB = 20.5dBm(Typ.) High Gain: G1dB = 8.0dB(Typ.) High PAE: ηadd = 26%(Typ.) Proven Reliability
Source Gate
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DESCRIPTION
The FLK017XP chip is a power GaAs FET that is designed for general purpose applications in the Ku-Band freq |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FLK017WF | Ku Band Power GaAs FET FLK017WF
X, Ku Band Power GaAs FET FEATURES
High Output Power: P1dB = 20.5dBm(Typ.) High Gain: G1dB = 7.5dB(Typ.) High PAE: ηadd = 26%(Typ.) Proven Reliability Hermetic Metal, Ceramic Package
DESCRIPTION
The FLK017WF is a power GaAs FET that is designed for general purpose applications in the |
Eudyna Devices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FLK017XP | GaAs FET & HEMT Chips FLK017XP
GaAs FET & HEMT Chips FEATURES
High Output Power: P1dB = 20.5dBm(Typ.) High Gain: G1dB = 8.0dB(Typ.) High PAE: ηadd = 26%(Typ.) Proven Reliability
Source Gate
Drain
DESCRIPTION
The FLK017XP chip is a power GaAs FET that is designed for general purpose applications in the Ku-Band freq |
Eudyna Devices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FLK027WG | Ku Band Power GaAs FET FLK027WG
X, Ku Band Power GaAs FET FEATURES
High Output Power: P1dB = 24.0dBm(Typ.) High Gain: G1dB = 7.0dB(Typ.) High PAE: ηadd = 32%(Typ.) Proven Reliability Hermetic Metal, Ceramic Package
DESCRIPTION
The FLK027WG is a power GaAs FET that is designed for general purpose applications in the |
Eudyna Devices |
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