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GJ3055 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | GJ3055 GTM | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2003, 07, 31 REVISED DATE :2007, 01, 25D
GJ3055
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
30V 26m 15A
Description
The GJ3055 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and co | ![]() |
2 | GJ3055S GTM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 05, 19 REVISED DATE :2006, 11, 09B
GJ3055S
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 25m 18A
Description
The GJ3055S provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ3055 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2003, 07, 31 REVISED DATE :2007, 01, 25D
GJ3055
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
30V 26m 15A
Description
The GJ3055 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and co |
![]() GTM |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ3055S | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 05, 19 REVISED DATE :2006, 11, 09B
GJ3055S
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 25m 18A
Description
The GJ3055S provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and |
![]() GTM |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ31C | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
ISSUED DATE :2005, 05, 12 REVISED DATE :
GJ31C
Description Features
NP N EP ITAXI AL PL ANAR T RANSI STOR
The GJ31C is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. *Complementary to GJ32C
Package Dimensions TO-252
REF. A B C D E F S
Millimeter Min. Max. 6.40 6.80 |
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