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GT40G121 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Insulated Gate Bipolar Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | GT40G121 Toshiba Semiconductor | Insulated Gate Bipolar Transistor GT40G121
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT40G121
The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications
Unit: mm
· · ·
Enhancement-mode High speed: tf = 0.30 s (typ.) (IC = 60 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)
Maxi |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GT40G121 | Insulated Gate Bipolar Transistor GT40G121
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT40G121
The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications
Unit: mm
· · ·
Enhancement-mode High speed: tf = 0.30 s (typ.) (IC = 60 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)
Maxi |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GT40J121 | Discrete IGBTs GT40J121
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
GT40J121
1. Applications
Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) Applications The product(s) described herein should not be used for any other application.
Note:
2. |
 Toshiba |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GT40J321 | Insulated Gate Bipolar Transistor GT40J321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT40J321
Current Resonance Inverter Switching Application
FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High-speed IGBT: tf = 0.11 μs (typ.) (IC = 40 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.) |
Toshiba Semiconductor |
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