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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | GW30V60DF ST 마이크로일렉트로닉스 | STGW30V60DF STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Datasheet - production data
TAB
3 1
D²PAK
TAB
3 2 1
TO-220
TAB
3 2 1
TO-247
3 2 1
TO-3P
Figure 1. Internal schematic diagram
C (2, TAB)
Features
Maximum junction temperature |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GW30NC120HD | STGW30NC120HD STGW30NC120HD
N-channel 1200V - 30A - TO-247 very fast PowerMESH™ IGBT
Features
Type
VCES
STGW30NC120HD 1200V
VCE(sat) @25°C
< 2.75V
IC @100°C
30A
■ Low on-losses ■ Low on-voltage drop (Vcesat) ■ High current capability ■ High input impedance (voltage driven) ■ Low gate charge � |
STMicroelectronics |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GW30NC60WD | STGW30NC60WD STGW30NC60WD
N-channel 30A - 600V - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH™ IGBT
Features
Type STGW30NC60WD
■ ■ ■
VCES 600V
VCE(sat)Max @25°C < 2.5V
IC @100°C 30A
High frequency operation Lower CRES , CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antipar |
STMicroelectronics |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GW30V60DF | STGW30V60DF STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Datasheet - production data
TAB
3 1
D²PAK
TAB
3 2 1
TO-220
TAB
3 2 1
TO-247
3 2 1
TO-3P
Figure 1. Internal schematic diagram
C (2, TAB)
Features
Maximum junction temperature |
STMicroelectronics |
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