H5N2512FP-E0-E 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 250V - 18A - Field Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

H5N2512FP-E0-E의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	H5N2512FP-E0-E Renesas Technology	250V - 18A - Field Effect Transistor H5N2512FP-E0-E 250V - 18A - RDS(on) = 0.082 (ID = 9 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) RENESAS : PRSS0003AG-A ( : TO-220FP) D 1 23 G S R07DS0861CJ0100 1.00 Oct 30, 2012 1. 2. 3. : 1. PW 10 s, 2. Tc = 25 C 3. Tch 150 C 1% VDSS VGSS ID ID (pulse) IDR IDR (pulse) IAP Pch ch-c Tch Tstg 2
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H5N1503P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H5N1503P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G0186-0100Z Rev.1.00 Mar.10.2004 Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline TO-3P D G 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to Sour	Renesas Technology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H5N1506P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H5N1506P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G0389-0200 Rev.2.00 Jul 03, 2006 Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P) D G 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source 1 2 3 S Absolu	Renesas Technology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H5N2001LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H5N2001LD, H5N2001LS, H5N2001LM Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1339-0600 Rev.6.00 Jul 14, 2006 Features Low on-resistance Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A (Package name: LDPAK (L) ) 4 4 1. Gate 2. Drain 3. Source 4.	Renesas Technology

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2