|
|
IDB06S60C 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
IDB06S60C의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | IDB06S60C Infineon Technologies | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDB06S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; RoH |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IDB04E120 | Fast Switching EmCon Diode IDP04E120 IDB04E120 Fast Switching EmCon Diode
Feature 1200 V EmCon technology Fast recovery Soft switching Low reverse recovery charge Low forward voltage
Product Summary VRRM IF VF T jmax
P-TO220-3.SMD
1200 4 1.65 150
P-TO220-2-2.
V A V °C
Easy paralleling
Type IDP04E120 IDB04E120
Pa |
Infineon Technologies |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IDB06E60 | Fast Switching EmCon Diode IDP06E60 IDB06E60 Fast Switching EmCon Diode
Feature 600 V EmCon technology Fast recovery Soft switching Low reverse recovery charge Low forward voltage
Product Summary VRRM IF VF T jmax
P-TO220-3.SMD
600 6 1.5 175
P-TO220-2-2.
V A V °C
175°C operating temperature Easy paralleling
Typ |
Infineon Technologies |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IDB06S60C | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDB06S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; RoH |
Infineon Technologies |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |