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IRG4BC10K 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1IRG4BC10K

International Rectifier
Short Circuit Rated UltraFast IGBT

PD - 91733A IRG4BC10K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kH- , and Short Circuit Rated to 10 s @ 125°C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 Industry standard TO-220
International Rectifier
2IRG4BC10KD

International Rectifier
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD -91734B IRG4BC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V Combines low conduction losses with high switching speed Tighter parameter distributio
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3IRG4BC10KDPBF

International Rectifier
HEXFET Power MOSFET

PD -94903 IRG4BC10KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Short Circuit Rated UltraFast IGBT VCES = 600V High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V Combines low conduction losses with
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관련 검색 목록

부품번호 상세설명 제조업체 PDF
IRG41BC10UDPBF Insulated Gate Bipolar Transistor

PD - 95603 IRG4IBC10UDPbF Lead-Free www.irf.com 1 7, 28, 04 IRG4IBC10UDPbF 2 www.irf.com IRG4IBC10UDPbF www.irf.com 3 IRG4IBC10UDPbF 4 www.irf.com IRG4IBC10UDPbF www.irf.com 5 IRG4IBC10UDPbF 6 www.irf.com IRG4IBC10UDPbF www.irf.com 7 IRG4IBC10UDPbF 8 www.irf.com IRG4I
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datasheet IRG41BC10UDPBF pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
IRG41BC30UD Ultra Fast CoPack IGBT

PD91753A IRG4IBC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features 2.5kV, 60s insulation voltage U 4.8 mm creapage distance to heatsink UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kH- in hard switching, >200 kH- in resonant mode IGBT co-packaged with
International Rectifier
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datasheet IRG41BC30UD pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
IRG4BC10K Short Circuit Rated UltraFast IGBT

PD - 91733A IRG4BC10K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kH- , and Short Circuit Rated to 10 s @ 125°C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 Industry standard TO-220
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datasheet IRG4BC10K pdf

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