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IRL620 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 HEXFET Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IRL620 Fairchild Semiconductor | Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7
IRL620
FEATURES
Logic-Level Gate Drive Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.609Ω (Typ.)
Absolute Maximum R | ![]() |
2 | IRL620 Vishay | Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET
IRL620, SiHL620
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC)
200 VGS = 5.0 V
16
Qgs (nC)
2.7
Qgd (nC)
9.6
Configuration
Single
0.80
TO-220AB
D
S D G
G
S N-Channel MOSFET
FEATURES Dynamic dV, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate | ![]() |
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Index
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PD -9.1217
IRL620
HEXFET ® Power MOSFET
Dynamic dv, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate Drive RDS(ON) Specified at V GS = 4V & 5V Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements Description
Third Generation HEXFETs from Int | ![]() |
4 | IRL620A Fairchild Semiconductor | Advanced Power MOSFET $GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
Logic-Level Gate Drive Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.609Ω (Typ.)
IRL620A
BVDSS = 200 V RDS(o | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRL1004 | HEXFET Power MOSFET
PD - 91702B
IRL1004
HEXFET® Power MOSFET
Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description
l l
D
VDSS = 40V RDS(on) = 0.0065Ω
G
ID = 130A
S
Fifth Generat |
![]() International Rectifier |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRL1004L | HEXFET Power MOSFET
PD - 91644A
IRL1004S IRL1004L
Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description
l l
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = 40V
G S
RDS(on) = 0.0065Ω ID = 130A
Fift |
![]() International Rectifier |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRL1004LPBF | (IRL1004SPBF / IRL1004LPBF) HEXFET Power MOSFET
PD - 95575
Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description
l l
IRL1004SPbF IRL1004LPbF
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = 40V
G S
RDS(on) = 0.0065Ω |
![]() International Rectifier |
![]() |
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