IRL630 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

IRL630의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRL630 Fairchild Semiconductor	Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRL630 FEATURES Logic-Level Gate Drive Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.335Ω (Typ.) Absolute Maximum R
2	IRL630 International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) Previous Datasheet Index Next Data Sheet PD -9.1255 IRL630 HEXFET ® Power MOSFET Dynamic dv, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate Drive RDS(ON) Specified at V GS = 4V & 5V 150°C Operating Temperature Fast Switching Ease of paralleling Description Third Generation HEXFETs from
3	IRL630 Vishay	Power MOSFET ( Transistor ) IRL630, SiHL630 Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 5 V 40 5.5 24 Single D FEATURES 200 V 0.40 Dynamic dV, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic Level Gate Drive RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V 15
4	IRL630A Fairchild Semiconductor	Advanced Power MOSFET $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 FEATURES Logic-Level Gate Drive Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.335Ω (Typ.) IRL630A BVDSS = 200 V RDS(o
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004	HEXFET Power MOSFET PD - 91702B IRL1004 HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l D VDSS = 40V RDS(on) = 0.0065Ω G ID = 130A S Fifth Generat	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004L	HEXFET Power MOSFET PD - 91644A IRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω ID = 130A Fift	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004LPBF	(IRL1004SPBF / IRL1004LPBF) HEXFET Power MOSFET PD - 95575 Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description l l IRL1004SPbF IRL1004LPbF HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω	International Rectifier

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2