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K2936 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2936의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | K2936 Hitachi Semiconductor | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2936
2SK2936
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-559B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features
Low on-resistance R DS =0.010 Ω typ. High speed switching 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO 220CFM
D
G 1 2 3
S
1. Gate 2. Drain 3. Source
2SK2936 | ![]() |
2 | K2936 Renesas | Silicon N Channel MOS FET 2SK2936
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ.
High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1050-0400 (Previous: ADE-208-559B)
Rev.4.00 Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A (Package | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2900-01 | N-channel MOS-FET > Features
- High Current - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - Avalanche Rated
2SK2900-01
FAP-IIIB Series
N-channel MOS-FET
60V 14,5mΩ ±45A 60W
> Outline Drawing
> Applications
- Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters
> Maximum Ratings |
![]() Fuji Electric |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2902-01MR | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2902-01MR 2SK2902-01MR
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
FUJI POWER MOS-FET
TO-220F15
Applications
Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters
2.54
3. Source
Maximum ratings |
![]() Fuji Electric |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2915 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2915 2SK2915
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π MOSV)
2SK2915
Chopper Regulator, DC DC Converter and Motor Drive Applications
- Low drain source ON resistance - High forward transfer admittance : RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) : |Yfs| = 15 S (typ.) Unit: mm
- Low leakage curre |
![]() Toshiba Semiconductor |
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