K4X56163PI-FE 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 16Mx16 Mobile DDR SDRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	K4X56163PI-FE Samsung semiconductor	16Mx16 Mobile DDR SDRAM K4X56163PI - L(F)E, G 16Mx16 Mobile DDR SDRAM 1. FEATURES VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 )
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4X1G163PC-FE	Mobile DDR SDRAM K4X1G163PC - L(F)E, G 64Mx16 Mobile DDR SDRAM 1. FEATURES VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) -	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4X1G163PC-FG	Mobile DDR SDRAM K4X1G163PC - L(F)E, G 64Mx16 Mobile DDR SDRAM 1. FEATURES VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) -	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4X1G163PC-LE	Mobile DDR SDRAM K4X1G163PC - L(F)E, G 64Mx16 Mobile DDR SDRAM 1. FEATURES VDD, VDDQ = 1.8V, 1.8V Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle Bidirectional data strobe(DQS) Four banks operation Differential clock inputs(CK and CK) MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 3 ) -	Samsung semiconductor

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