K880 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	K880 도시바	MOSFET ( Transistor ) - 2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications · High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 · High breakdown voltage: VGDS = 50 V · Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz,
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K880	MOSFET ( Transistor ) - 2SK880 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK880 2SK880 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications · High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 · High breakdown voltage: VGDS = 50 V · Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz,	Toshiba
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K881	MOSFET ( Transistor ) - 2SK881 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK881 FM Tuner Applications VHF Band Amplifier Applications 2SK881 Unit: mm Low noise figure: NF = 2.5dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 9 mS (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteris	Toshiba
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K882	MOSFET ( Transistor ) - 2SK882 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK882 2SK882 FM Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit: mm Low reverse transfer capacitance: Crss = 0.025 pF (typ.) Low noise figure: NF = 1.7dB (typ.) High power gain: Gps = 28dB (typ.) Recommend operation voltage: 5~15 V Absol	Toshiba

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