MJ3055 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon NPN Power Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	MJ3055 Inchange Semiconductor	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification MJ3055 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching an
2	MJ3055 Seme LAB	Bipolar NPN Device MJ3055 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 0.97 (0.060) 1.10 (0.043) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 22.23 (0.875)

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ3000	Silicon complementary trasistors	Central Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ3000	Silicon NPN Power Transistors SavantIC Semiconductor Silicon NPN Power Transistors Product Specification MJ3000, 3001 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type MJ2500, 2501 APPLICATIONS ·For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications PINNING(see	SavantIC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ3000	(MJ3000 / MJ3001) NPN Transistor PNP MJ3000 MJ3001 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ3000, and MJ3001 are silicon epitaxial-base PNP power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case. They are intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP typ	Comset Semiconductors

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