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NE3210S01-T1 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | NE3210S01-T1 NEC | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3210S01
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable | ![]() |
2 | NE3210S01-T1B NEC | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3210S01
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE3002-VA10A | Near edge thermal printhead (300 dots / inch) Printheads
Near edge thermal printhead (300 dots , inch)
NE3002-VA10A
The NE3002-VA10A is a near edge thin-film thermal printhead, where the printing medium passes straight through at printing speeds up to 8 inch , second. It is suited for high-speed label printers. FApplications Bar code printer |
![]() ROHM Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE3004-VA10A | Near edge thermal printhead (300 dots / inch) Printheads
Near edge thermal printhead (300 dots , inch)
NE3004-VA10A
The NE3004-VA10A is a near edge thin-film thermal printhead where the printing medium passes straight through. This printhead is capable of printing speeds up to 8 inch , second and is suited for label printers. FApplications B |
![]() ROHM Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE321000 | C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELDEFFECT TRANSISTOR
NE321000
C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
DESCRIPTION
The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable |
![]() NEC |
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